DDR5가 출시되기 시작하고 있습니다.
DDR4 생산이 막바지에 이르면서 대부분의 램 오버클럭을 위한 램 타이밍이 공개되어 있습니다.
과거 B-Die에서 가능하던 극한 수율의 오버클럭이 이제는 양산형 C-Die에서도 종종 보일 정도 입니다.
일반적으로 다이가 변경되면서 후기로 갈수록 램 오버 수율은 떨어질 수 밖에 없지만, DDR4세대의 경우 C다이에서도 괜찮은 오버 수율을 보여주기 때문에 오버클럭 매력이 충분하다고 말씀 드릴 수 있습니다.
특히 메모리 오버클럭에 따라 성능이 크게 좌우되는 AMD의 라이젠 (3600 CPU 시스템등)의 경우에는 오버 클럭이 필수적입니다.
최근 삼성에서 3200MHz 메모리도 출시 하였지만, 생각보다 오버 수율이 떨어지면서 오히려 양산형 마지막 세대인 DDR4-2666MHz 메모리가 결국 최고의 가성비가 아닐까 생각합니다.
오늘은 오버클럭 가성비 끝판왕 DDR4-2666MHz (PC4-21300) 제품의 메모리 오버클럭 방법과 성능 비교를 해 드리도록 하겠습니다.
▶ 메모리 오버클럭 준비
삼성램 오버클럭시에는 DDR4 2666MHz PC-21300 제품 사용을 추천 드립니다.
수많은 램 제품을 오버클럭 시도 해 보았지만, 가성비 측면에서는 C 다이의 DDR4 2666MHz제품이 감히 최고라고 말씀 드릴 수 있습니다.
오버클럭 구성 시에는 8GB DDR4 제품 2개 사용을 기본으로 합니다.
대부분의 고사양 게임 및 무거운 인코딩 프로그램도 16GB를 모두 사용하기가 어렵습니다.
또한 메인보드의 인식 방법 (데이지체인->램 2개 오버 유리, 티-토폴로지->램 4개 오버 유리)에 따라 오버 효율이 달라지는데요, 대부분의 메인보드는 데이지체인 방식을 채택하고 있기 때문에 듀얼램 (램 2개)방식으로 진행하는 것이 유리 합니다.
메모리가 준비되었다면, 지금부터 가이드에 따라 램타이밍, 램 전압 두가지를 조정해서 메모리 오버 클럭을 진행 하시면 됩니다.
▶ 메모리 오버클럭 가이드
먼저 메모리 램타 및 전압 조정이 필요합니다.
각각 아래와 같이 BIOS (바이오스)에서 설정 변경을 진행 합니다.
먼저 메모리 클럭과 세부 램타 및 인가 전압을 조정을 합니다.
메모리 클럭 : 3600MHz
인피니티패브릭 : 1800MHz
CL : 16
tRCD : 22
tRD : 22
tRAS : 46
Voltage : 1.39V~1.4V
메모리 클럭과 세부 램타 변경은 바이오스를 통해야 하며, 각각의 메인보드 마다 다르므로 별도로 소개를 해드리지는 않습니다.
주의할 점은 인피니티 패브릭이 클럭의 절반으로 설정되어야 하며 제대로 설정이 되었다면 위 그림에서와 같이 NB Frequency와 DRAM Frequency가 같게 출력 됩니다.
각각 메모리 클럭과 세부 램타 인가 전압을 변경한 모습입니다.
라이젠 시스템에서는 인피니티패브릭이 메모리 클럭의 절반 (3600MHz오버라면 1800MHz로 설정)으로 설정 되어야 합니다.
▶ 메모리 오버클럭 벤치 및 안정성 검토
메모리 오버클럭의 성능 향상은 Latency 라는 값으로 가장 민감하게 나타납니다.
라이젠 3600 기준 기본 Latency가 93.0ns 정도인데, 오버 클럭 후 69.7ns 까지 향상되는 결과를 확인할 수 있습니다.
클럭과 램타도 정상 작동 합니다.
오버클럭이 되었다면, 실사용 전에 안정성 검토가 필요합니다.
일반적으로 memtest adv4를 사용하며, error 없이 최소 10주기 통과를 한다면, 실사용에 문제 없다고 말씀 드릴 수 있습니다.
No Error 로 3600 MHz CL16-22-22-46 삼성램 오버 클럭에 성공한 모습입니다.
▶ 결론
1년 전만해도 램 오버가 쉽지 않았기 때문에 포기하고 이미 오버클럭이 되어있는 튜닝램을 사는 경우가 많았습니다.
최근의 경우 메모리 수율이 상향 안정화 되어서 2666MHz 삼성 시금치 램의 경우 극강의 가성비를 보여주고 있습니다.
굳이 비싼 튜닝램을 구매하기 보다는 시금치 램을 구입하여 오버에 도전하시는 것을 추천 드립니다.
